世界正處在數據大爆炸時代，人們亟待高密度、高速度、長壽命的新一代存儲器救急。上海承擔國家科技重大專項、國家納米重大研究計劃等項目，牽頭研發新一代存儲器，已公開約300項海內外專利，填補了我國自主存儲器長期空白，并與國際前沿實現同步。這是昨天舉辦的“第11屆IEEE非易失性存儲器國際研討會”上透露的。

　　存儲器是消費型電子產品的必備單元，這些小小器件每年全球范圍銷售額達600億美元，但因技術密集且門檻高，市場主要被三星、海力士等5家企業壟斷。中國作為多種電子產品的世界最大生產國，每年消耗存儲器件占全球三分之一，但此前一直未實現存儲器國產。而日韓兩國則通過實施國家戰略，分別于上世紀80年代和90年代自主掌握存儲器技術，也使全球存儲器產業重心從美國移至日本，進而移至韓國。

　　從2002年起，中科院上海微系統所在現行存儲技術之外，及時攻關下一代存儲器，并承接我國“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”、“973計劃”等相關任務。目前，微系統所與中芯國際、微芯等企業組建百余人產學研團隊，成功研發出不同于傳統存儲機制的“相變存儲器”。項目負責人宋志棠研究員介紹，目前有能力生產“相變存儲器”的全球廠商僅少數幾家，并且剛剛實現量產。據悉，微系統所在相關材料、器件、工藝等環節布局專利達300項左右，其中80多項已獲授權，為產業化和國際化打下良好的基礎。

　　據了解，相變存儲器比起當今主流產品具有多種優勢，有望同時替代公眾熟知的兩大類存儲技術，如應用于U盤的可斷電存儲的閃存技術，又如應用于電腦內存的不斷電存儲的DRAM技術。在存儲密度方面，目前主流存儲器在20多納米的技術節點上出現極限，無法進一步緊湊集成；而相變存儲器可達5納米量級。在存儲速度方面，相變存儲器的存儲單元比閃存快100倍，使用壽命也達百倍以上。（記者 徐瑞哲）